衡量LED顯示屏壽命 探讨LED光衰的原因？

    LED做讀的長(cháng)時(shí)間工(gōng)作會(huì)光衰引起老多能化，尤其對大(dà)功率LED來說(shu化制ō)，光衰問題更加嚴重。在衡量LED的壽命時(shí)，僅僅以知唱燈的損壞來作為(wèi) LED顯示屏壽命腦拍的終點是遠遠不(bù)夠的，應該以LED的光衰就明減百分比來規定LED的壽命，比如(rú)5%或10%東厭，這樣更有意義。呼市豐巢快遞櫃廣告

   &nb西朋sp;光衰：在對感光鼓表面充電時(shí)，随着電荷在感光鼓表面的積累，電位海問也不(bù)斷升高，最後達到 "飽和"物對;電位，就是最高電位。表面電位會(huì)随着時(shí)間的水人推移而下降，一般工(gōng)作時(shí)的電位都低(dī)于這個電位有物，這個電位随時(shí)間自然降低(dī)的過程，稱之為舞高(wèi)"暗(àn)衰"分靜過程。感光鼓經掃描曝光時(shí)，暗(àn)區(微光指未受光照射部分的光導體表面)電位仍處在暗(àn爸地)衰過程；亮區(指受光照射部分的光導體表面)光導層内載流子(zǐ)密度迅速章明增加，電導率急速上升，形成光導電壓，電荷迅速消失，光導體表面電位也迅速下農說降。稱之為(wèi)"光衰"，最後趨緩。

    光緻衰退效應：也稱S-W效應。a麗少-Si：H薄膜經較長(cháng)時(shí)間的強光照射或算農電流通(tōng)過，在其内部将産生缺陷而使薄膜的使用性能下降，時現稱為(wèi)Steabler-Wronski效應。對紅站S-W效應的起因，至今仍有不(bù)少争議，造成衰退的微觀機制也員森尚無定論，成為(wèi)迄今國内外非晶矽材雨長料研究的熱門課題。總的看法認為(wèi)，S-W效應起因于光照導緻在帶隙中産生外國了新的懸挂鍵缺陷态(深能級)，這種缺陷态會(huì)影響a-Si：H薄膜不計材料的費米能級EF的位置，從而使電子(zǐ)的分布情況發生變化，進而國師一方面引起光學性能的變化，另一方面對電子(zǐ)的複合過程産訊數生影響。這些缺陷态成為(wèi)電子(zǐ)和空穴的額外複合中心，使電遠得(de)電子(zǐ)的俘獲截面增大(dà)、壽視件命下降。


    在a-Si∶H薄膜材腦話料中，能夠穩定存在的是Si-H鍵和與晶體矽類似土站的Si-Si鍵，這些鍵的鍵能較大(dà)，不(bù)容易被打斷。由于a-S制業i∶H材料結構上的無序，使得(de)一些Si-Si鍵的哥呢鍵長(cháng)和鍵角發生變化而使Si日公-Si鍵處于應變狀态。高應變Si-Si鍵的化學勢與H相當，知短可以被外界能量打斷，形成Si-H鍵或重新組成更強的Si-Si鍵。如(rú)果斷來會裂的應變Si-Si鍵沒有重構，則a-Si∶H薄膜的懸挂鍵密度增加。為(w林遠èi)了更好(hǎo)地理解S-W效應産生的小得機理并控制a-Si∶H薄膜中的懸挂鍵，以期尋找穩定化處理方法和工東白(gōng)藝，20多年來，國内外科(kē)學工(gōn和黑g)作者進行了不(bù)懈的努力，提出了商冷大(dà)量的物理模型，主要有弱鍵斷裂(SJT)模雨南型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、“def站近ect pool”模型等，但至今仍沒有形成統一的觀點。呼和浩特公交車(chē)廣告